En su forma más simple, RAM (memoria de acceso aleatorio) es un tipo de memoria de computadora, a menudo denominada memoria a corto plazo porque es volátil, lo que significa que los datos no se guardan cuando se apaga la energía.
Cuando los usuarios empresariales encienden el ordenador, el Sistema operativo y aplicaciones se cargan en la RAM de la computadora que está directamente conectada al UPChaciendo que los datos sean rápidamente accesibles para su procesamiento.
En entornos corporativos, la RAM (módulos de memoria) viene en diferentes formas y tamaños. DIMM (Módulo de memoria dual en línea) se puede encontrar en computadoras de escritorio, estaciones de trabajo y servidoresmientras portátiles requieren SODIMM de tamaño físico más pequeño (DIMM de contorno pequeño).
Un módulo de memoria contiene varios chips DRAM (RAM dinámica), que es un tipo de memoria semiconductora. Dinámico simplemente significa que los datos retenidos por los transistores en los chips se actualizan constantemente. La cantidad de chips DRAM que se encuentran en un módulo de memoria varía según su capacidad (8 GB, 16 GB, 32 GB).
La litografía de los chips DRAM ha sido revisada y mejorada muchas veces durante las últimas décadas y esto ha llevado no sólo a reducciones en el coste por bit, sino también a reducir las dimensiones del componente y aumentar la velocidad del reloj. En general, la DRAM ahora ofrece un rendimiento más rápido y mayores capacidades, pero utiliza menos energía, lo que reduce los costos de energía, controla el calor y extiende la vida útil de la batería.
La DRAM funciona en uno de dos modos, síncrono o asíncrono. Asíncrono fue la tecnología DRAM común utilizada hasta finales de los años 1990. El modo síncrono significa que las operaciones de lectura, escritura y actualización se controlan con un reloj del sistema, sincronizado con la velocidad del reloj de la CPU de una computadora. Las computadoras actuales usan el modo síncrono o memoria de acceso aleatorio síncrona (SDRAM) que se conecta a la placa del sistema a través de un módulo de memoria.
Director comercial de DRAM, Kingston EMEA.
Nuevas generaciones de DRAM
La última versión de SDRAM es DDR5 (Double Data Rate 5ta generación), que viene en un rango de velocidades estándar, comenzando con 4800M/Ts (megatransferencias por segundo) y es un indicador de la velocidad a la que se transfieren los datos dentro y fuera del módulo de memoria. Aproximadamente cada siete años, se introduce una nueva generación de memoria, diseñada para adaptarse a la demanda cada vez mayor de velocidad, densidad y configuraciones en entornos informáticos empresariales. DDR5, por ejemplo, está diseñado con nuevas características que brindan mayor rendimiento, menor consumo de energía e integridad de datos más sólida para la próxima década de la informática. Debutó en 2021.
Los responsables de la toma de decisiones de TI que estén considerando comprar memoria deben tener en cuenta que los módulos de memoria no son compatibles con versiones anteriores. La memoria DDR5 no se insertará físicamente en un zócalo de memoria DDR4 o DDR3. Dentro de una generación de memoria, las velocidades más rápidas son compatibles con versiones anteriores. Por ejemplo, si un usuario compra un módulo DDR5–5600MT/s estándar y lo utiliza con un módulo de 12.ª generación Intel procesador, la memoria de velocidad se «reducirá» automáticamente para funcionar a 4800 M/Ts, la velocidad admitida por el sistema host o inferior. Esto variará según el modelo de CPU y la cantidad de módulos de memoria instalados en el sistema.
Es esencial conocer el procesador y la placa base que ya están instalados en la computadora cuando se planea actualizar la memoria, pero también hay otras consideraciones. La mayoría de las PC tienen cuatro zócalos de RAM, algunas, como las estaciones de trabajo, tienen hasta ocho, pero es probable que las computadoras portátiles solo tengan dos zócalos de memoria accesibles y, en los modelos delgados, puede que solo haya uno.
Diferentes tipos de RAM
Aunque puedan parecer similares y tener la misma función, el tipo de módulo de memoria que se encuentra en HEDT (High-End Desktop) y los servidores es diferente a los que se encuentran en las PC. Intel Xeon y el AMD La gama de CPU para servidores Epyc viene con una mayor cantidad de núcleos de CPU y más canales de memoria en comparación con las CPU de escritorio Intel Core y AMD Ryzen, por lo que las especificaciones y características de la RAM para servidores difieren de las de las PC.
Las CPU de servidor requieren DIMM registrado que admita la función ECC (Código de corrección de errores), que permite corregir los errores de bits que ocurren en el bus de memoria (entre el controlador de memoria y el chip DRAM), garantizando la integridad de los datos. RDC (controlador de reloj registrado) es un componente adicional que se encuentra en RDIMM, no presente en DIMM sin búfer (UDIMM), y garantiza que todos los componentes del módulo de memoria funcionen con el mismo ciclo de reloj, lo que permite que el sistema permanezca estable cuando hay un número alto. de módulos están instalados.
El tipo de módulo de memoria fabricado para computadoras de escritorio y portátiles generalmente es DIMM sin búfer sin ECC. Los datos procesados por los usuarios en este tipo de sistemas se consideran menos críticos que los datos procesados por servidores que alojan sitios web o manejan procesamiento de transacciones en línea, por ejemplo, y deben respetar SLA (acuerdos de nivel de servicio) específicos y tiempos de actividad. 99,9999% 24 horas al día, 7 días a la semana. Los UDIMM sin ECC contienen menos componentes y funciones que los RDIMM y, por lo tanto, son más asequibles y siguen siendo una solución de memoria confiable. Existen tipos de RAM sin búfer tanto en formato DIMM como SODIMM.
Impulsar el rendimiento
La memoria RAM se vende principalmente en módulos individuales, pero también está disponible en kits de dos, cuatro u ocho, con capacidades que van desde 4 GB para DDR3 hasta 96 GB para DDR5 (en módulos individuales) y hasta 256 GB en kits (se ofrecen 256 GB únicamente). como kit de 8 en DDR4 y DDR 5). Las configuraciones coinciden con la arquitectura del canal de memoria y, cuando se instalan correctamente, pueden ofrecer un aumento importante en el rendimiento. Para proporcionar un ejemplo del potencial de rendimiento, actualizar un módulo DDR5-4800MT/s con un ancho de banda máximo de 38,4 GB/s a una configuración de doble canal expande instantáneamente el ancho de banda a 76,8 GB/s.
acelerando la velocidad
Los usuarios con velocidades estándar de la industria están limitados a lo que admitirán el procesador y la placa base de su computadora, particularmente si no permiten que los módulos se instalen en un segundo banco de memoria. En una placa base de doble canal con cuatro zócalos, estos están dispuestos en dos bancos de memoria, donde cada canal de memoria tiene dos zócalos. Si un usuario de DDR5 puede instalar módulos en un segundo banco, en la mayoría de los casos, la memoria puede verse obligada a reducir su velocidad a una velocidad más lenta para permitir limitaciones dentro del procesador.
Los usuarios que busquen un impulso considerable, como los gamers, pueden optar por la memoria overclockable. Esto se puede hacer de forma segura utilizando los perfiles Intel XMP y AMD EXPO; sin embargo, se recomienda ayuda profesional. Seleccionar la memoria de juego adecuada para hacer overclocking en un sistema significa decidir entre precio versus velocidad versus capacidad, las posibles limitaciones de las placas base y los procesadores, y RGB versus no RGB (para aprovechar los beneficios de la iluminación).
Glosario útil de términos.
Además de las siglas que ya hemos explicado anteriormente, aquí tienes algunos términos adicionales que te resultará útil conocer:
UPC – Las Unidades Centrales de Procesamiento son el núcleo de la computadora.
PMIC – Los circuitos integrados de administración de energía ayudan a regular la energía requerida por los componentes del módulo de memoria. Para módulos de clase servidor, el PMIC utiliza 12V; para módulos de clase PC, utiliza 5V.
concentrador SPD – DDR5 utiliza un nuevo dispositivo que integra la EEPROM Serial Presence Detect con funciones adicionales, gestiona el acceso al controlador externo y desacopla la carga de memoria en el bus interno del externo.
ECC integrado – Código de corrección de errores que mitiga el riesgo de fuga de datos corrigiendo errores dentro del chip, aumentando la confiabilidad y reduciendo las tasas de defectos.
2 canales, 4 canales, 8 canales – Módulos de RAM individuales: canal dual, canal cuádruple, canal octal.
megahercio – MHz es una abreviatura de megahercios y significa un millón de ciclos por segundo, o un millón de hercios. Esta unidad de medida de frecuencia se utiliza para indicar la velocidad a la que los datos se mueven dentro y entre componentes.
Tm/s es la abreviatura de megatransferencias (o millones de transferencias) por segundo y es una medida más precisa de la velocidad de datos efectiva (velocidad) de la memoria DDR SDRAM en informática.
memoria no binaria – La densidad de los chips DRAM suele duplicarse con cada iteración, pero con DDR5 se introdujo una densidad intermedia (24 Gbit), que proporciona más flexibilidad y se denomina memoria no binaria.
GB/s – Gigabytes por segundo. Un Gigabyte es una unidad de capacidad de almacenamiento de datos de aproximadamente mil millones de bytes. Ha sido una unidad común de medida de capacidad para productos de almacenamiento de datos desde mediados de los años 1980.
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