Samsung presentará un chip de memoria DDR5 ultrarrápido: 8,0 Gbps por pin, el módulo de 32 Gb se acercó a las velocidades GDDR5X y es probable que aparezcan módulos de memoria de 128 GB
Samsung Según se informa, está listo para presentar una serie de productos de memoria de vanguardia en la próxima Conferencia internacional de circuitos de estado sólido IEEE 2024. Junto a su Memoria GDDR7 previamente anunciadaque aparecerá en la sesión de...