Un grupo de investigadores del Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST) está desarrollando un nuevo y revolucionario dispositivo de memoria que combina las características de la memoria flash DRAM y NAND.
Dirigido por el profesor Shinhyun Choi de la Escuela de Ingeniería Eléctrica, el avance del equipo promete soluciones más baratas y energéticamente eficientes que potencialmente podrían reemplazar las soluciones de memoria existentes o usarse para implementar computación neuromórfica para la próxima generación de hardware de IA.
Según KAIST, el nuevo dispositivo utiliza memoria de cambio de fase de próxima generación con un consumo de energía ultrabajo, capaz de reemplazar tanto la memoria flash DRAM como la NAND.
Adoptando un enfoque novedoso
Normalmente, la DRAM ofrece un rendimiento de alta velocidad pero es volátil, lo que provoca la pérdida de datos cuando se corta la energía. La memoria flash NAND ofrece una solución al preservar los datos incluso cuando no hay energía, pero no iguala la velocidad de la DRAM. Esta nueva memoria de cambio de fase proporciona una solución no volátil y de alta velocidad que combina lo mejor de ambos mundos.
Las versiones anteriores de la memoria de cambio de fase tenían un problema: el alto consumo de energía. A pesar de los intentos de reducir el consumo disminuyendo el tamaño físico de dichos dispositivos utilizando tecnologías de litografía de última generación, las reducciones fueron mínimas, mientras que los costos se dispararon.
Para superar esto, el equipo del profesor Choi ha establecido una forma de formar eléctricamente materiales de cambio de fase en un área extremadamente pequeña, desarrollando con éxito un dispositivo de memoria de cambio de fase de potencia ultrabaja. En particular, esto consume 15 veces menos energía que los modelos de memoria de cambio de fase anteriores que utilizaban costosas herramientas de litografía, un avance significativo en la búsqueda de un desarrollo de memoria eficiente en costos y energía.
«El dispositivo de memoria de cambio de fase que hemos desarrollado es importante ya que ofrece un enfoque novedoso para resolver los problemas persistentes en la producción de un dispositivo de memoria con un costo de fabricación y una eficiencia energética muy mejorados», dijo el profesor Choi. Continuó diciendo que espera Esta nueva investigación se convertirá en la base de la futura ingeniería electrónica, allanando el camino para la memoria vertical tridimensional de alta densidad y los sistemas informáticos neuromórficos.
Esta no es la única solución de computación neuromórfica en la que se está trabajando en KAIST. El mes pasado los científicos allí presentó un chip de IA que, según ellos, puede igualar la velocidad de NVIDIALa GPU A100 pero con un tamaño más pequeño y un consumo de energía significativamente menor.
