Los dispositivos de almacenamiento basados en NAND son un sector muy disputado, en el que Samsung ha mantenido el liderazgo desde 2002, pero sus rivales están ganando terreno.
El gigante de la electrónica de Corea del Sur ha anunciado planes para comenzar la producción en masa de sus nuevos chips NAND verticales (V9) de novena generación y 290 capas, destinados a dispositivos de inteligencia artificial y en la nube, así como a servidores empresariales a gran escala. Estos utilizan la tecnología de doble pila de Samsung, en lugar del método de triple pila que se utiliza habitualmente.
Sin embargo, otras empresas se están acercando. SK Hynix, el segundo mayor fabricante de chips de memoria del mundo y archirrival de Samsung, tiene la intención de lanzar su Tecnología NAND de 321 capas a principios del próximo año, mientras que el especialista chino en memoria flash Yangtze Memory Technologies dice que planea introducir chips de 300 capas a finales de este año.
Un juego de gallina
Con la batalla calentándose, Samsung ya está mirando más allá del inminente lanzamiento del V9, y expertos de la industria indican que se espera que el próximo año se presente un asombroso chip NAND de décima generación (V10) de 430 capas. A diferencia del V9, este utilizará la tecnología de triple pila de Samsung.
El impulso agresivo por la supremacía de NAND se produce cuando crece la demanda de dispositivos de almacenamiento de alto rendimiento y gran capacidad en la era de la IA. Los chips NAND de alta densidad responden a esa demanda y al mismo tiempo mejoran las capacidades de los teléfonos inteligentes 5G.
El diario económico de Corea dice que los principales fabricantes de chips están ahora «inmersos en un juego de gallina en una carrera para desarrollar tecnología avanzada de apilamiento de chips para reducir costos y mejorar el rendimiento». Señala que Samsung ha anunciado previamente planes para desarrollar más de 1.000 chips NAND de capa para 2030.
