¿Lo que acaba de suceder? En medio de la creciente competencia con Intel, Samsung Foundry habría decidido cambiar el nombre de su tecnología de fabricación de clase 3 nm de segunda generación, anteriormente conocida como SF3. Según el informe, el próximo nodo pasó a llamarse SF2 para indicar el proceso de fabricación de clase 2 nm. Samsung Foundry, sin embargo, aún no ha confirmado oficialmente el cambio de nombre.
La noticia proviene de la versión coreana de ZDNet (a través de Hardware de Tom) que afirma que Samsung Electronics informó a una de sus fuentes del cambio a principios de este año. Según la fuente, Samsung Electronics había firmado un contrato con Samsung Foundry para la producción de 3 nm de segunda generación el año pasado, pero el contrato fue revisado posteriormente para reflejar el cambio.
Se dice que el cambio de nombre es parte de los planes de Samsung para simplificar la nomenclatura de sus procesos, pero también es probable que ayude al gigante tecnológico surcoreano a competir mejor con Intel Foundry, cuyo nodo de producción de 2 nm, denominado Intel 20A, se espera que llegue a finales de este año. .
Samsung anunció su hoja de ruta de tecnología de procesos en 2022, enumerando una serie de nodos que se implementarán hasta 2027. Según la hoja de ruta, apuntará a la producción en masa de tecnología de proceso de 2 nm (SF2P) para 2025 y de 1,4 nm (SF1.4) para 2027. La compañía también dijo que planeaba expandir su capacidad de producción para los nodos avanzados en más de 3 veces para 2027.
Sin embargo, si hay que creer en el informe, las cosas cambiaron a principios de este año, cuando Samsung notificó a sus clientes sobre los cambios en su hoja de ruta y el cambio de nombre de su proceso SF3 a SF2. Por el momento, no se sabe si hay cambios reales en el diseño del nuevo nodo a pesar del cambio de marca, lo que significa que los clientes probablemente obtendrán exactamente la misma tecnología que el antiguo SF3.
Se espera que Samsung lance su nuevo nodo de proceso SF2 en la segunda mitad de este año. Por lo que sabemos, SF2 utiliza transistores de puerta integral (GAA) o transistores de efecto de campo de canal múltiple (MBCFET), pero no cuenta con una red de suministro de energía trasera (BSPDN) a diferencia de Intel 20A. Se dice que BSPDN mejora el rendimiento del transistor, reduce el consumo de energía, aumenta la densidad del transistor lógico y elimina la interferencia entre los cables de datos y de alimentación, lo que potencialmente le da a Intel 20A una ventaja significativa.
