El panorama: Durante mucho tiempo se ha anticipado que la memoria persistente traerá un cambio de paradigma en la informática, pero es poco probable que suceda pronto. En un seminario web reciente, expertos de la industria de la Storage Networking Industry Association (SNIA) expresaron su confianza en que la nueva tecnología reemplazará a las tecnologías de memoria establecidas como la DRAM, pero es posible que esto no ocurra antes del final de esta década.
Respondiendo a preguntas de los medios y observadores de la industria, Arthur Sainio, Tom Coughlin y Jim Handy de SINA dijeron que la memoria persistente ya ha igualado las velocidades alcanzadas por la tecnología DRAM moderna, como lo demuestran los ferroeléctricos de hafnio de SK Hynix y Micron. Sin embargo, no pudieron dar una respuesta directa sobre cuál de las tecnologías de memoria emergentes eventualmente reemplazará a la DRAM en las PC y servidores de los clientes.
Si bien la memoria ferroeléctrica es conocida por tener ciclos de escritura rápidos, no hay garantía de que prevalezca al final. Esto se debe a que múltiples tecnologías de memoria nuevas, como MRAM, FERAM y ReRAM, compiten para reemplazar los estándares existentes como SRAM, NOR flash y DRAM.
Según los expertos, MRAM tiene una gran ventaja sobre sus competidores, ya que sus velocidades de lectura «probablemente rivalizarán» con las velocidades de DRAM en un futuro próximo. Nuevas tecnologías como el par de órbita de giro y la anisotropía magnética controlada por voltaje también están reduciendo la latencia de escritura de la MRAM, lo que la convierte en uno de los principales candidatos para reemplazar potencialmente la DRAM algún día.
Sin embargo, un obstáculo importante para la transición de DRAM a memoria persistente es el costo de fabricación. Si bien la producción de DRAM es relativamente barata, podrían pasar años antes de que la memoria persistente se vuelva competitiva en términos de precio.
Otro problema que impide la adopción de la memoria persistente es que actualmente utiliza interfaces NOR Flash y SRAM en lugar de DDR. Eso, sin embargo, podría cambiar en el futuro, ya que «no hay nada innato en ninguna tecnología de memoria que la combine estrechamente con cualquier tipo de bus».
La memoria persistente, como su nombre indica, puede retener contenido incluso sin energía, lo que la convierte en una gran ventaja en determinadas aplicaciones. Sin embargo, los expertos creen que a pesar de sus beneficios obvios, existen muchos obstáculos para su adopción generalizada en un futuro próximo. Tal como están las cosas ahora, es posible que no hagamos la transición a la nueva tecnología antes de principios de la década de 2030, «pero podría ser mucho más tarde».