El Instituto de Investigación de Tecnología Industrial (ITRI) y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) han anunciado la creación de un chip de matriz SOT-MRAM (memoria de acceso aleatorio magnético de par de órbita de giro), resultado de un programa de desarrollo conjunto anunciado por primera vez en 2022.
Considerada como un posible reemplazo de STT-MRAM (MRAM de torsión de transferencia de giro), la nueva SOT-MRAM podría usarse para computación en arquitecturas de memoria y como una alternativa para aplicaciones de caché integradas de último nivel de alta densidad. Requiere sólo el 1% de la electricidad operativa consumida por su predecesor y se dice que es más rápido que la DRAM.
ITRI y TSMC publicaron un nuevo artículo de investigación sobre este componente microelectrónico, en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos IEE 2023 (IEDM 2023).
Todavía hay obstáculos que superar
El Dr. Shih-Chieh Chang, director general de los Laboratorios de Investigación de Sistemas Electrónicos y Optoelectrónicos del ITRI, dijo: «Tras los artículos en coautoría presentados en el Simposio sobre Tecnología y Circuitos VLSI el año pasado, hemos desarrollado conjuntamente una unidad SOT-MRAM celúla. Esta celda unitaria logra simultáneamente un bajo consumo de energía y un funcionamiento de alta velocidad, alcanzando velocidades de hasta 10 nanosegundos. Y su rendimiento informático general se puede mejorar aún más cuando se integra con la informática en el diseño de circuitos de memoria. De cara al futuro, esta tecnología tiene potencial para aplicaciones en informática de alto rendimiento (HPC), inteligencia artificial, chips automotrices y más”.
El auge de la IA, 5G y AIoT ha estimulado la necesidad de un procesamiento más rápido y soluciones de memoria novedosas que ofrezcan velocidad, estabilidad y eficiencia energética superiores. Este avance potencialmente allana el camino para la tecnología de memoria de próxima generación, pero existen problemas.
Como Tom’s Hardware señala, “Aunque SOT-MRAM ofrece menor energía en espera que SRAM, necesita corrientes altas para las operaciones de escritura, por lo que su consumo de energía dinámica sigue siendo bastante alto. Además, las células SOT-MRAM siguen siendo más grandes que las células SRAM y son más difíciles de fabricar. Como resultado, si bien la tecnología SOT-MRAM parece prometedora, es poco probable que reemplace a la SRAM en el corto plazo. Sin embargo, para aplicaciones informáticas en memoria, SOT-MRAM podría tener mucho sentido, si no ahora, pero cuando TSMC aprenda cómo hacer que SOT-MRAM sea rentable”.
