El estándar de memoria DDR5, que se finalizó oficialmente en julio de 2020 con AMD Ryzen 7000 (“Raphael”) e Intel Core 13000 (“Alder Lake”), solo comenzó a reemplazar lentamente a su predecesor DDR4 en las computadoras de escritorio durante los últimos dos años. pero la próxima memoria DDR6 ya está llamando a la puerta.
¿Qué podemos esperar del nuevo estándar de memoria DDR6 y qué información confiable tenemos ya? Le informaremos y le brindaremos sólidos conocimientos previos sobre la próxima generación de RAM en PC, servidores y portátiles.
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DDR6 debería alcanzar hasta 12.800 MT/s+
Samsung habló sobre DDR6 y su etapa evolutiva DDR6+ en el Tech Day 2021 y reveló muchos detalles interesantes sobre el próximo estándar de memoria.
Si tomamos como referencia las velocidades aprobadas oficialmente por JEDEC, la velocidad máxima de datos se duplicó de 3.400 MT/s a 6.400 MT/s con la introducción de DDR5 en comparación con DDR4. Samsung pronostica un aumento similar para DDR6, que funcionará a hasta 12.800 MT/s como DDR6-12800.
Cabe señalar que estas son solo las velocidades estándar oficiales especificadas por JEDEC, que podrían ser superadas con creces por los módulos overclockeados (OC).
Por lo tanto, las tarjetas de memoria con módulos de memoria (“IC”) estrictamente seleccionados deberían poder alcanzar DDR6-16800 con hasta 16.800 MT/s como módulos OC.
El desarrollo de los estándares de memoria DDR sería entonces el siguiente en términos de velocidad de memoria pura:
Estándar JEDEC | módulos OC | |
---|---|---|
DDR | hasta 400 TM/s | hasta 533 TM/s |
DDR2 | hasta 1.066 TM/s | hasta 1.333 TM/s |
DDR3 | hasta 2.133 TM/s | hasta 2.666 TM/s |
DDR4 | hasta 3.200 TM/s | hasta 5.333 TM/s |
DDR5 | hasta 6.400 TM/s | hasta 8.4000 TM/s |
DDR6* | hasta 12.800 TM/s | hasta 16.800 TM/s |
Debido a la velocidad de memoria significativamente mayor asociada con el cambio de DDR5 a DDR6, el ancho de banda de la memoria también aumenta notablemente.
DDR6 tiene cuatro canales de memoria
La cantidad de canales de memoria por módulo aumentará a cuatro con DDR6, duplicándose nuevamente en comparación con DDR5. El número de bancos de memoria también se duplica hasta 64, lo que a su vez significa un aumento de cuatro veces en comparación con DDR4.
En una comparación intergeneracional del ancho de banda de la memoria, DDR6 volvería a aumentar significativamente:
- DDR hasta 3,2 GB/s
- DDR2 hasta 8,5 GB/s
- DDR3 hasta 17,0 GB/s
- DDR4 hasta 28,8 GB/s
- DDR5 hasta 67,2 GB/s
- DDR6 hasta 134,4 GB/s+
Tal como están las cosas, se puede suponer que los módulos de memoria DDR6 más rápidos podrán proporcionar al menos 134,4 GB/s de ancho de banda de memoria, y los módulos OC ofrecerán un rendimiento de memoria significativamente mayor por segundo.
Más funciones, menos voltaje
Al igual que con el cambio de DDR4 a DDR5, el conjunto de funciones de la nueva generación de memoria volverá a ampliarse significativamente. Todos los fabricantes de chips DRAM relevantes, como Samsung, Micron, Nanya y SK Hynix, ya lo han revelado.
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Además de un PMIC (Power Management IC) mejorado, que supervisa la gestión de energía de los módulos de memoria, y una tensión de alimentación aún más reducida (VDIMM), también se ampliarán aún más las funciones ECC para la comprobación de paridad y la corrección de errores.
DDR6 se lanzará en 2024/25
Samsung ya ha anunciado que actualmente está trabajando para finalizar el estándar de memoria DDR6 junto con los demás miembros de JEDEC del círculo de fabricantes de DRAM y SoC. Según el fabricante, esto se espera para 2024, pero a más tardar en 2025.
La nueva memoria DDR6 celebrará su debut en el segmento empresarial profesional y se espera que se utilice por primera vez con las CPU de servidor de la generación 2025.
El ingeniero jefe del fabricante surcoreano de semiconductores SK Hynix, por su parte, espera una fase de desarrollo algo más larga y no prevé un lanzamiento generalizado al mercado antes de finales de 2025.
Este artículo fue traducido del alemán al inglés y apareció originalmente en pcwelt.de.